เหตุใดชิปที่ต่ำกว่า 7 นาโนเมตรจึงขึ้นอยู่กับ-เป้าหมายแทนทาลัมที่มีความบริสุทธิ์สูง

เนื่องจากการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ดำเนินไปต่ำกว่า 7 นาโนเมตร วัสดุจึงมีความสำคัญพอๆ กับการออกแบบทรานซิสเตอร์ หนึ่งในความท้าทายที่ใหญ่ที่สุดในการผลิตชิปขั้นสูงคือการควบคุมการแพร่กระจายของทองแดงภายในโครงสร้างการเชื่อมต่อที่มีขนาดเล็กมาก ทองแดงมีค่าการนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม ซึ่งเป็นสาเหตุที่ชิปสมัยใหม่ต้องพึ่งพาเทคโนโลยีการเชื่อมต่อระหว่างทองแดงเป็นอย่างมาก แต่อะตอมของทองแดงก็สามารถเคลื่อนที่ได้สูงเช่นกัน ภายใต้ความเครียดจากความร้อนและการทำงานในระยะยาว- พวกมันสามารถค่อยๆ แพร่กระจายไปยังชั้นไดอิเล็กตริกและซิลิคอนโดยรอบ ซึ่งนำไปสู่กระแสไฟรั่ว ความไม่เสถียร และลดความน่าเชื่อถือของชิป ที่โหนดกระบวนการแบบเก่า ปัญหานี้ควบคุมได้ง่ายกว่า แต่ต่ำกว่า 7 นาโนเมตร ซึ่งโครงสร้างวัดได้เพียงไม่กี่นาโนเมตร แม้แต่การโยกย้ายอะตอมเพียงเล็กน้อยก็สามารถส่งผลโดยตรงต่อผลผลิตและประสิทธิภาพของอุปกรณ์

นี่คือสาเหตุที่ชั้นกั้นแทนทาลัมที่มีความบริสุทธิ์สูง-ยังคงมีความสำคัญอย่างยิ่งในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง ฟิล์มที่ทำจากแทนทาลัมบางๆ-จะถูกสะสมไว้ระหว่างทองแดงและโครงสร้างโดยรอบเพื่อป้องกันการแพร่กระจายในขณะที่ยังคงรักษาความเสถียรทางไฟฟ้า ชั้นเหล่านี้บางมาก แต่ประสิทธิภาพของชั้นเหล่านี้ส่งผลโดยตรงต่อความน่าเชื่อถือในการเชื่อมต่อภายในชิปขั้นสูง เนื่องจากชั้นกั้นบางลง ข้อกำหนดด้านความบริสุทธิ์สำหรับเป้าหมายแทนทาลัมจึงเข้มงวดมากขึ้น การปนเปื้อนเล็กน้อย โครงสร้างเกรนที่ไม่เสถียร หรือพฤติกรรมการสปัตเตอร์ที่ไม่สอดคล้องกัน ล้วนส่งผลต่อความสม่ำเสมอของฟิล์มในระหว่างการสะสม PVD ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง แม้แต่ความผันผวนเล็กน้อยที่เคยยอมรับได้ก่อนหน้านี้ก็อาจสร้างข้อบกพร่องของเวเฟอร์หรือลดผลผลิตได้ ด้วยเหตุนี้ เป้าหมายแทนทาลัมเกรดเซมิคอนดักเตอร์-ไม่เพียงแต่ต้องการความบริสุทธิ์สูงเท่านั้น แต่ยังต้องมีการควบคุมความหนาแน่น ขนาดเกรน และความสม่ำเสมอภายในตลอดกระบวนการผลิตทั้งหมดอีกด้วย

สำหรับซัพพลายเออร์วัสดุแทนทาลัม ปัญหาที่แท้จริงไม่ได้อยู่ที่การผลิตโลหะแทนทาลัมอีกต่อไป ความท้าทายอยู่ที่การรักษาคุณภาพการประมวลผลที่มั่นคง ตั้งแต่การกลั่นและการหลอมลำแสงอิเล็กตรอน ไปจนถึงการตีขึ้นรูป การตัดเฉือน และการผลิตเป้าหมายขั้นสุดท้าย เนื่องจากชิป AI การประมวลผลประสิทธิภาพสูง- และเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงยังคงเพิ่มความซับซ้อนของเซมิคอนดักเตอร์อย่างต่อเนื่อง ความต้องการวัสดุแทนทาลัมที่มีความบริสุทธิ์สูง-จึงคาดว่าจะยังคงแข็งแกร่ง ในหลาย ๆ ด้าน ความสำคัญที่เพิ่มขึ้นของแทนทาลัมภายในชิปที่มีขนาดต่ำกว่า 7 นาโนเมตร สะท้อนให้เห็นถึงการเปลี่ยนแปลงที่กว้างขึ้นในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ กล่าวคือ การผลิตขั้นสูงถูกจำกัดมากขึ้น ไม่เพียงแต่จากความสามารถในการออกแบบเท่านั้น แต่ยังรวมถึงวิศวกรรมวัสดุด้วย

ที่ Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal เรามุ่งเน้นไปที่วัสดุโลหะทนไฟและ-ประสิทธิภาพสูง รวมถึงแทนทาลัม ไนโอเบียม แฮฟเนียม ทังสเตน ไทเทเนียม และโลหะผสมที่เกี่ยวข้องสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ สุญญากาศ การบินและอวกาศ และการใช้งานที่อุณหภูมิสูง- หากคุณกำลังประเมินวัสดุแทนทาลัมสำหรับเป้าหมายสปัตเตอร์หรือการใช้งานทางอุตสาหกรรมขั้นสูง ทีมงานของเราสามารถรองรับข้อกำหนดในการประมวลผลทั้งแบบมาตรฐานและแบบกำหนดเองตามข้อกำหนดทางเทคนิคของคุณ อีเมล:zhwctanbc103@163.com