เป้าหมายสปัตเตอร์แทน

Shaanxi Zhongheng Weichuang วัสดุโลหะ Co ., Ltd . ตั้งอยู่ในเขตการพัฒนาเทคโนโลยีขั้นสูงของเมือง Baoji, Shaanxi Province . Hafnium, โลหะผสมทังสเตนแทนทาลัม, โลหะผสม Niobium Hafnium C103, เช่นเดียวกับผลิตภัณฑ์ที่ผ่านการประมวลผลลึกเช่นเรือ, ไม้กางเขน, การสปัตเตอร์เป้าหมาย, เป้าหมายการเคลือบ, ชิ้นส่วนกลึง

 

 

คำอธิบายโดยละเอียดเกี่ยวกับข้อมูลจำเพาะวัสดุเป้าหมาย Tantalum Sputtering

01.

ข้อกำหนดเส้นผ่านศูนย์กลาง/ความหนา

ข้อมูลจำเพาะของเส้นผ่านศูนย์กลาง: เส้นผ่านศูนย์กลางมาตรฐานทั่วไปคือ 50 มม., 50 . 8 มม., 57 มม., 60 มม., 76.2 มม., 80 มม., 100 มม. และ 101.6 มม. โดยมีช่วงการปรับแต่ง 50-400 มม.
ข้อกำหนดความหนา: ความหนาพื้นฐานมักจะเป็น 0.1-50 มม. (เช่น 3 มม. เป็นค่าทั่วไป) และสามารถผูกไว้กับเป้าหมายหลังทองแดง (เช่นชั้นทองแดง 2 มม. หรือ 3 มม.) หรือติดตั้งปะเก็นแม่เหล็กเพื่อตอบสนองความเข้ากันได้ของอุปกรณ์เฉพาะ .}}

02.

ความบริสุทธิ์เกรด/สภาพวัสดุ/รูปร่างและการปรับแต่ง

ระดับความบริสุทธิ์: ความบริสุทธิ์สูงมากกว่าหรือเท่ากับ 99 . 95% หรือมากกว่าหรือเท่ากับ 99.99% เหมาะสำหรับการใช้งานเกรดเซมิคอนดักเตอร์
สถานะวัสดุ: จัดเตรียมสถานะการอบอ่อน (M) หรือสถานะยาก (y) เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดการประมวลผลที่แตกต่างกัน .
รูปร่างและการปรับแต่ง: รองรับการปรับแต่งเป้าหมายแบนเป้าหมายการหมุนและเป้าหมายที่ผิดปกติ . ขนาดความคลาดเคลื่อน (เช่นความขรุขระพื้นผิวน้อยกว่าหรือเท่ากับ 32RMS) และวิธีการผูกสามารถออกแบบได้อย่างยืดหยุ่นตามภาพวาดหรือข้อกำหนด .}
ความบริสุทธิ์เกรด/สภาพวัสดุ/รูปร่างและการปรับแต่ง

ลักษณะเฉพาะ:
จุดหลอมเหลวสูงและความเสถียรทางเคมีที่ยอดเยี่ยม: แทนทาลัมมีจุดหลอมเหลว 3017 องศาและจุดเดือด 5458 องศา . มันไม่ได้ทำปฏิกิริยากับน้ำในอุณหภูมิห้องและมีความต้านทานการกัดกร่อนที่ยอดเยี่ยม .}
คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์: แทนทาลัมแสดงคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยมและเหมาะสำหรับกระบวนการสปัตเตอร์ระดับไฮเอนด์เช่นการสปัตเตอร์ RF ที่มีความหนาแน่นพลังงานสูงถึง 15W/cm ² .}
High temperature stability and low gas adsorption: maintaining a strength of>400MPA ที่ 500 องศาโดยมีพลังงานผิวต่ำถึง 0 . 8J/m ²ยับยั้งการดูดซับก๊าซ AR ได้อย่างมีประสิทธิภาพและปรับปรุงอัตราการสะสมของฟิล์ม

วัตถุประสงค์:
การผลิตเซมิคอนดักเตอร์: เป้าหมายแทนทาลัมมักใช้เป็นวัสดุสิ่งกีดขวางสำหรับเทคโนโลยีการเชื่อมต่อระหว่างทองแดงในวงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์ . tantalum/tantalum ไนโตรเจน (ta/tan) โครงสร้าง bilayer สามารถขยายความล้มเหลวของไฟฟ้า
การเคลือบด้วยแสง: เป้าหมายแทนทาลัมใช้ในการผลิตฟิล์มบางด้วยคุณสมบัติทางแสงที่เฉพาะเจาะจงผ่านการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) หรือเทคนิคการสะสมไอสารเคมี (CVD) และใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ออพติคอลจอแสดงผลและเซ็นเซอร์ .}}}}
อุปกรณ์การแพทย์: แทนทาลัมมีความเข้ากันได้ทางชีวภาพที่ดีและเหมาะสำหรับการปลูกถ่ายทางการแพทย์เช่นแผ่นกระดูกและขาเทียมร่วมลดปฏิกิริยาการปฏิเสธของมนุษย์ .
การเคลือบป้องกันการกัดกร่อน: เนื่องจากความต้านทานการกัดกร่อนที่ยอดเยี่ยมของแทนทาลัมจึงใช้ในการเคลือบอุปกรณ์เคมีและพื้นผิวโลหะที่สัมผัสกับสภาพแวดล้อมที่รุนแรงขยายอายุการใช้งานของอุปกรณ์ .
แอพพลิเคชั่นอื่น ๆ : วัสดุเป้าหมายแทนทาลัมยังใช้ในการผลิตสื่อการจัดเก็บแม่เหล็กหัวเครื่องพิมพ์อิงค์เจ็ทและแผงแบนแสดง .}

ป้ายกำกับยอดนิยม: Tantalum Sputtering เป้าหมาย, China Tantalum Sputtering ผู้ผลิตเป้าหมายซัพพลายเออร์โรงงาน, แทนทาลัมสำหรับถังเคมี, ห่วงโซ่อุปทานวัตถุดิบแทนทาลัม